Aluminiumnitrid hat einen Wärmeausdehnungskoeffizienten und elektrische Isolationseigenschaften, die denen von Silizium-Wafermaterial sehr nahe kommen, Aluminiumnitrid-Keramikkomponenten.

Aluminiumnitrid ist eines der wenigen Materialien, das eine elektrische Isolierung und eine hohe Wärmeleitfähigkeit bietet. Dies macht AlN äußerst nützlich in Hochleistungselektronikanwendungen in Kühlkörper- und Wärmeverteileranwendungen.

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Aluminiumnitrid kann in Grün bearbeitet werden, Keks, oder vollständig dichte Zustände. In der Roh- oder Keksform lässt es sich relativ leicht zu komplexen Geometrien verarbeiten. Die Hauptmerkmale des Halbleiters, Der zur vollständigen Verdichtung des Materials erforderliche Sinterprozess führt dazu, dass der Aluminiumnitrid-Körper etwa schrumpft 20%. Diese Schrumpfung macht es unmöglich, bei der Bearbeitung des AlN-Vorsinterns sehr enge Toleranzen einzuhalten.

Um sehr enge Toleranzen zu erreichen, Vollständig gesintertes Material muss mit Diamantwerkzeugen bearbeitet/geschliffen werden. Bei diesem Verfahren wird ein sehr präzises diamantbeschichtetes Werkzeug/Rad verwendet, um das Material abzuschleifen, bis die gewünschte Form entsteht. Aufgrund der inhärenten Zähigkeit und Härte des Materials, Dies kann ein zeitaufwändiger und kostspieliger Prozess sein.

AlN kommt üblicherweise in Substraten bis zu vor 1 mm dick, die leicht lasergeschnitten werden kann. Es kann auch in dickerer Form vorliegen, Jedoch, Die Herstellung in kleinen Mengen kann schwierig/kostspielig sein, wenn für das Teil kundenspezifisches Material oder eine umfangreiche Bearbeitung erforderlich ist.

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