Brazo cargador de obleas de cerámica de semiconductores de alúmina
- Descripción
- Consulta
99.8% Brazo cargador de obleas de cerámica de semiconductores de alúmina
The main features of the semiconductor ceramic wafer loader arm
1. Dimensiones de alta precisión con tolerancia de apriete, es más fácil obtener una relación de ajuste perfecto
2. Capacidad de alta temperatura: soportar hasta 1650 ° C en atmósferas oxidantes y reductoras
3. Vestir & resistencia a la abrasión: Varilla aislante de cerámica de alúmina mm
4. Inercia química, Varilla aislante de cerámica de alúmina mm, y no se oxida para siempre
5. Aislamiento electrico: La ruptura del aislamiento es de hasta 18 KV como mínimo.
6. Grandes propiedades mecánicas, dureza, La resistencia a la compresión y a la flexión son de acero inoxidable mucho más altas.
7. Resistencia a la corrosión química a altas temperaturas., incluso si con ácido fuerte o álcali
8. Varilla aislante de cerámica de alúmina mm.
9. Bajo costo de material en aplicaciones de alto nivel que otras cerámicas técnicas
La especificación de piezas de cerámica.
| Opción de material | Alúmina(Al2O3), Circonita (ZrO2), Carburo de silicio(SiO2), Nitrido de silicona(Si3N4) |
| Métodos de formación | ISO presionado, Prensado en seco, Moldeo por inyección de cerámica, Prensado en caliente |
| Especificación | OD puede ser de 1 hasta 50 mm, la longitud puede ser de 10 mm a 800 mm |
| Procesamiento de precisión | Mecanizado CNC, Rectificado de precisión, Pulido, Lapeado, |
| Tolerancia | La tolerancia de OD e ID puede ser de 0,001 mm., la tolerancia de longitud puede ser de 0,001 mm |
| Parámetros clave | Rugosidad de 0,02 mm, La planitud debe ser de 0,001 mm, El paralelismo debe ser 0,001 mm |
| Calidad de la superficie | Libre de grietas, contaminación extranjera, superficie del espejo mejor que Ra0.1 |
Brazo cargador de obleas de cerámica de semiconductores de alúmina
La descripción del brazo cargador de obleas de cerámica de alúmina de alta precisión
Para dispositivos semiconductores, el proceso critico, así como las piezas que necesitan ser utilizadas en un vacío, alta temperatura, y ambiente de gas corrosivo, también requieren un ambiente limpio y sin polvo. Sin embargo, El material cerámico de precisión podría mantener una alta estabilidad en un entorno físico y químico complicado.. Pieza de cerámica semiconductora que producimos con resistencia al desgaste., resistencia a la corrosión, baja expansión térmica, el aislamiento está hecho de 99.8% cerámica de alúmina y formada por prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura, y mecanizado de precisión, es por eso que puede cumplir con los estrictos requisitos de las piezas para equipos semiconductores.
Brazo cargador de obleas de cerámica de semiconductores de alúmina
Observación:
Tenemos la capacidad con una variedad de geometría complicada de piezas cerámicas de alta precisión a través de mecanizado CNC, rectificado de precisión, perforación de precisión, etcétera.
Ficha técnica de cerámica técnica
| Propiedad | Unidades | Material | ||||
| 99.5% alúmina | 99% alúmina | 95% alúmina | ZrO2 (Y-TZP) | ZrO2 (TTZ) | ||
| Densidad | g / cm3 | ≥3,85 | ≥3,80 | ≥3,60 | ≥5,95 | ≥5,72 |
| Absorción de agua | % | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dureza | HV | 1700 | 1700 | 1500 | 1300 | 900 |
| Fuerza flexible | Mpa | ≥379 | ≥338 | ≥320 | ≥1200 | ≥1200 |
| Fuerza compresiva | Mpa | ≥2240 | ≥2240 | ≥2000 | ≥1990 | 1750 |
| Tenacidad a la fractura | Mpa m1/2 | 4-5 | 4-5 | 3-4 | 6.5-8 | 11 |
| Max. Servicio temperatura | ºC | 1675 | 1600 | 1450 | 1000 | |
| Redil | 1× 10 -6 /ºC | 6.5~ 8.0 | 6.2~ 8.0 | 5.0~ 8.0 | 8.0~ 9.5 | 10.2 |
| Choque termal | T(ºC) | ≥250 | ≥200 | ≥220 | ≥300 | 350 |
| Conductividad térmica(25ºC) | W / m.k | 30 | 29 | 24 | 3 | 3 |
| Resistividad de volumen | ohm.cm | |||||
| 25ºC | >1 X 10 14 | >1 X 10 14 | >1 X 10 14 | >1 X 10 11 | >1 X 10 11 | |
| 300ºC | 1 X 10 12 | 8 X 10 11 | 10 12 -10 13 | 1 X 10 10 | 1 X 10 10 | |
| 500ºC | 5 X 10 10 | 2 X 10 9 | 1 X 10 9 | 1 X 10 6 | 1 X 10 6 | |
| Fuerza de aislamiento | KV / mm | 19 | 18 | 18 | 17 | 20 |
| Constante dieléctrica(1Megahercio) | (mi) | 9.7 | 9.5 | 9.5 | 29 | 28 |
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