Substrat en céramique d'AlN de nitrure d'aluminium métallisé par cuivrage

Substrat céramique métallisé Al2O3, placage Ni/Au
Bague de rondelle en céramique de nitrure d'aluminium
Substrat céramique AlN en nitrure d'aluminium métallisé
Substrat céramique AlN en nitrure d'aluminium métallisé
Substrat céramique AlN en nitrure d'aluminium métallisé
Substrat céramique AlN en nitrure d'aluminium métallisé

Substrat en céramique d'AlN de nitrure d'aluminium métallisé par cuivrage

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Substrat en céramique d'AlN de nitrure d'aluminium métallisé par cuivrage

Substrat en céramique d'AlN de nitrure d'aluminium métallisé par cuivrage

Céramique de nitrure d'aluminium have excellent electrical and thermal properties, and are considered to be the most promising high thermal conductivity ceramic substrate materials. In order to seal the package structure, mount components and connect input and output terminals, the surface and interior of the aluminum nitride ceramic substrate need to be metallized. The reliability and performance of ceramic surface metallization have an important impact on the application of ceramic substrates, and firm bonding strength and excellent air tightness are the most basic requirements. Considering the heat dissipation of the substrate, it is also required to have high thermal conductivity at the interface between the metal and the ceramic. The metallization methods on the surface of nitrure d'aluminium ceramics include: thin film method, thick film method, high melting point metallization method, electroless plating method, direct copper cladding method (DBC), etc.

DBC ceramic substrate/for electronic heating devices/Copper Plating Metallized Aluminum Nitride AlN Ceramic Substrate /FUBOON

DBC(Cuivre lié directement)tenique désigne un processus spécial dans lequel la feuille de cuivre et l'al2o3 ou l'AlN (un ou deux côtés) sont directement liés sous haute température appropriée. Le substrat DBC ultra fin fini présente une excellente isolation électrique,haute conductivité thermique, soudabilité fine et force de liaison élevée. Il peut être structuré simplement en léchant le PCB pour obtenir un câblage gravé et a une capacité de charge élevée. Par conséquent, les substrats en céramique DBC sont devenus le matériau de base de la tuture pour la construction et les techniques d'interconnexion de circuits électroniques à semi-conducteurs de haute puissance. et ont également servi de base à “puce sur boaed”technologie qui représente la tendance de l'emballage au cours du siècle.
Metallized Aluminum Nitride
DBC Features
1.Haute résistance mécanique,forme mécaniquement stable;Hexagonal,conductivité thermique fine,excellente isolation électrique;bonne adhérence,résistant à la corrosion;
2.De bien meilleures capacités de cyclage thermique (jusqu'à 50000 cycles),grande fiabilité;
3.Peut être structuré comme des cartes PCB ou des substrats IMS pour obtenir un câblage gravé;
4.Pas de contamination,propre de l'environnement;
5.Température d'application étendue:-55℃ ~ 850 ℃; Le coefficient de dilatation thermique est proche de celui du silicium, les technologies de production du module de puissance sont donc grandement simplifiées.

Substrat en céramique d'AlN de nitrure d'aluminium métallisé par cuivrage

Propriétés du matériau en nitrure d'aluminium
Propriétés
FUB-AN180
FUB-AN200
FUB-AN220
Couleur
Anneau en céramique de nitrure de silicium_1
Anneau en céramique de nitrure de silicium_1
Beige
Contenu principal
96%ALN
96%ALN
97%ALN
Caractéristiques principales
Conductivité thermique élevée,Excellente résistance au plasma
Principales applications
Pièces dissipant la chaleur,Pièces de résistance au plasma
Densité en vrac
3.30
3.30
3.28
Absorption de l'eau
0.00
0.00
0.00
piles à combustible à oxyde solide(piles à combustible à oxyde solide)
10.00
9.50
9.00
Résistance à la flexion
>=350
>=325
>=280
Résistance à la compression
2,500.00
2,500.00
–
Module d'élasticité de Young
320.00
320.00
320.00
zirconia_ceramic_parts_1
0.24
0.24
0.24
Résistance à la fracture
–
–
–
Coefficient de dilatation thermique linéaire
40-400 degré Celsius
4.80
4.60
4.50
Conductivité thermique
20 degré Celsius
180.00
200.00
220.00
Chaleur spécifique
0.74
0.74
0.76
Résistance aux chocs thermiques
–
–
–
Résistivité volumique
20 degré Celsius
>=10-14
>=10-14
>=10-13
Facilement dégazé
>=15
>=15
>=15
Constante diélectrique
1MHz
9.00
8.80
8.60
isolateurs pour dispositifs microélectroniques
*10-4
5.00
5.00
6.00
Remarque: La valeur est juste pour examen, différentes conditions d'utilisation auront une petite différence.

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