Wafer ceramico in nitruro di alluminio nero

Sfera in ceramica di nitruro di alluminio
Parti dei diffusori di calore in ceramica AlN in nitruro di alluminio
Wafer ceramico in nitruro di alluminio nero
Ceramic AlN Aluminium Nitride Parts Heat Spreaders Parts
Wafer ceramico in nitruro di alluminio nero
Ceramic AlN Aluminium Nitride Parts Heat Spreaders Parts

Wafer ceramico in nitruro di alluminio nero

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Hot Pressed Black Aluminum Nitride Ceramic Wafer

Nitruro di alluminio (Al N) è un materiale eccellente da utilizzare se sono richieste elevate proprietà di conducibilità termica e isolamento elettrico; rendendolo un materiale ideale per l'uso nella gestione termica e nelle applicazioni elettriche. Inoltre, AlN è un'alternativa comune all'ossido di berillio (BeO) nell'industria dei semiconduttori in quanto non costituisce un pericolo per la salute durante la lavorazione. Il nitruro di alluminio ha un coefficiente di dilatazione termica e proprietà di isolamento elettrico che corrispondono strettamente a quelle del materiale del wafer di silicio, rendendolo un materiale utile per applicazioni elettroniche in cui le alte temperature e la dissipazione del calore sono spesso un problema.
Il nitruro di alluminio è uno dei pochi materiali che offre isolamento elettrico e alta conducibilità termica. Ciò rende AlN estremamente utile in applicazioni elettroniche ad alta potenza in applicazioni di dissipatori di calore e dissipatori di calore.

Pressato a caldo alumiunm nitride is used in applications requiring high electrical resistivity in additional to exceptional thermal conductivity.The application for hot pressed AlN typically involve rigorous or abrasive environments and high-tempreature thermal cycling.

Applicazione:
–Semiconductor Heaters –Etching Machine
Below is the properties of the pressed alumina nitride.
Proprietà
Ra0.1
Valore
Resistenza alla flessione, MOR (20 °C)
e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi
300-460
Tubo di protezione al nitruro di silicio
MPa m1/2
2.75-6.0
Tubo di protezione al nitruro di silicio (20 °C)
W/m K
80-140
Coefficiente di espansione termica
1 x 10-6/°C
3.3-5.5
Temperatura massima di utilizzo
°C
800
Rigidità dielettrica (6.35mm)
ac-kV/mm
16.0-19.7
Perdita dielettrica
1MHz, 25 °C
1 X 10-4 a 5 X 10-4
Resistività di volume (25°C)
Ω-cm
1013 a 1014

Applicazione

– RF / Componenti a microonde

– Power Modulus
– Power Transformers
– High Power LED Package

– Laser Diode Sub-mounts

– LED Chip Sub-mount
– Microelectronic Packages
– Transistors

– High Thermal Conductivity Substrates per LED & Elettronica di potenza

– Substrates for Power Electronics

– High Thermal Conductivity Substrates per LED & Elettronica di potenza

– Substrates for Power Electronics

caratteristiche del prodotto

1.Microstruttura uniforme


2.Alta conduttività termica* (70-180 Wm-1K-1), personalizzati tramite condizioni di lavorazione e additivi


3.Elevata resistività elettrica


4.Coefficiente di dilatazione termica vicino a quello del silicio


5.Resistenza alla corrosione e all'erosione


6.Eccellente resistenza agli shock termici

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