Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza
Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza
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Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza
La descrizione di
Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza
Abbiamo fornito una varietà di diversi gradi ceramici con metallizzazione, Compreso 95% allumina, 99% allumina, zirconia, ossidi di berillio. Ci rende incapaci di soddisfare le diverse esigenze dei diversi clienti.
Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza
Gli alloggiamenti in ceramica di allumina metallizzata che abbiamo prodotto sono famosi per l'eccellente forza di adesione, denso, corpo in ceramica non porosa e prestazioni a tenuta di vuoto, buone caratteristiche ad alta temperatura, e basso coefficiente di dilatazione, e così via.
Tipi di giunzione:
1.Base in ceramica di allumina + Placcatura in Ag
2.Base in ceramica di allumina + Metallizzazione Mo/Mn
3.Base in ceramica di allumina + Metallizzazione Mo/Mn + Ni placcatura
4. Base in ceramica di allumina + Tungsteno metallizzato + Au placcatura
Qualità cosmetica:
1. La planarità di entrambi i lati terminali deve essere inferiore a 0,01 mm
2.Nessuna bolla sul nichel ( esterno) placcatura alla temperatura fino a 1150°C
3.Nessuna crepa sulla superficie
4.Nessun punto oscuro ( impurità) sulla superficie esterna
5.Con distribuzione uniforme dello smalto
Applicazione:
Diodo, Triodo a gas, Tiristore sottovuoto, il tubo a raggi X, e così via.
Panoramica delle principali proprietà fisiche:
1.Buon isolamento elettrico
2.Elevata resistenza meccanica
3.Eccellente resistenza all'usura
4.Eccellente resistenza alla corrosione
5.Costante dielettrica bassa
Panoramica delle applicazioni principali:
1.Guarnizioni della pompa e altri componenti
2.Inserti resistenti all'usura
3.Rondelle o boccole isolanti
4.Componenti a semiconduttore
5.Componenti aerospaziali
6.Sensori automobilistici
7.Isolatori elettrici o elettronici
Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza
Descrizioni della lavorazione della metallizzazione:
Elaborazione di metallizzazione (Vedere la descrizione del processo di seguito) | Diametro esterno e fascia del diametro interno |
Spazzola | |
Serigrafia | |
Spray | |
Ago | |
Materiali di metallizzazione di base | Moly Manganese |
Manganese al tungsteno | |
Moly tungsteno manganese | |
Materiali per la metallizzazione | Ossido di alluminio |
Ossido di berillio (Si applicano restrizioni) | |
Caratteristiche/vantaggi della metallizzazione | Cottura a bassa temperatura |
Applicabile universalmente | |
Velocità di processo | |
Rivestimento uniforme, Spessore e Densità | |
Nessuna deformazione del supporto | |
Attrezzature per la metallizzazione | Forni domestici |
Focus sull'industria | Dipartimento della Difesa |
Dipartimento di Energia | |
Produzione di prodotti solari | |
Aerospaziale | |
Biomedico | |
Comunicazioni | |
Informatica ed elettronica | |
Elettronica sottovuoto | |
Medico | |
Militare | |
Semiconduttore | |
Ottico | |
Applicazioni previste per i prodotti di metallizzazione | Tubi a onde mobili |
Dispositivi elettronici sottovuoto | |
Dispositivi medici | |
Macchine fotoniche | |
Generatori di neutroni | |
Tubi a raggi X | |
Klystron | |
Passaggio ad alto vuoto | |
Relè Isolatori | |
Tecnologia E-Beam |
Metallizzazione disponibile&Specifiche di placcatura:
Composizioni ceramiche disponibili | Al2O3 94%,97%,99.5% |
Materiali di metallizzazione disponibili | Lu/Mn |
Spessore di metallizzazione | 25±10um |
Materiali di placcatura disponibili | Ni/Ag/Au |
Spessore della placcatura | 2-10Tubo in ceramica metallizzata_1 |
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