Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza

Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza

Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza

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Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza

La descrizione di

Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza
Abbiamo fornito una varietà di diversi gradi ceramici con metallizzazione, Compreso 95% allumina, 99% allumina, zirconia, ossidi di berillio. Ci rende incapaci di soddisfare le diverse esigenze dei diversi clienti.

Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza
Gli alloggiamenti in ceramica di allumina metallizzata che abbiamo prodotto sono famosi per l'eccellente forza di adesione, denso, corpo in ceramica non porosa e prestazioni a tenuta di vuoto, buone caratteristiche ad alta temperatura, e basso coefficiente di dilatazione, e così via.

Tipi di giunzione:
1.Base in ceramica di allumina + Placcatura in Ag
2.Base in ceramica di allumina + Metallizzazione Mo/Mn
3.Base in ceramica di allumina + Metallizzazione Mo/Mn + Ni placcatura
4. Base in ceramica di allumina + Tungsteno metallizzato + Au placcatura

Qualità cosmetica:
1. La planarità di entrambi i lati terminali deve essere inferiore a 0,01 mm
2.Nessuna bolla sul nichel ( esterno) placcatura alla temperatura fino a 1150°C
3.Nessuna crepa sulla superficie
4.Nessun punto oscuro ( impurità) sulla superficie esterna
5.Con distribuzione uniforme dello smalto

Applicazione:
Diodo, Triodo a gas, Tiristore sottovuoto, il tubo a raggi X, e così via.

Panoramica delle principali proprietà fisiche:

1.Buon isolamento elettrico

2.Elevata resistenza meccanica

3.Eccellente resistenza all'usura

4.Eccellente resistenza alla corrosione

5.Costante dielettrica bassa

Panoramica delle applicazioni principali:

1.Guarnizioni della pompa e altri componenti

2.Inserti resistenti all'usura

3.Rondelle o boccole isolanti

4.Componenti a semiconduttore

5.Componenti aerospaziali

6.Sensori automobilistici

7.Isolatori elettrici o elettronici

Alloggiamento in ceramica metallizzata per semiconduttori di potenza

Descrizioni della lavorazione della metallizzazione:

Elaborazione di metallizzazione
(Vedere la descrizione del processo di seguito)
Diametro esterno e fascia del diametro interno
Spazzola
Serigrafia
Spray
Ago
Materiali di metallizzazione di baseMoly Manganese
Manganese al tungsteno
Moly tungsteno manganese
Materiali per la metallizzazioneOssido di alluminio
Ossido di berillio (Si applicano restrizioni)
Caratteristiche/vantaggi della metallizzazioneCottura a bassa temperatura
Applicabile universalmente
Velocità di processo
Rivestimento uniforme, Spessore e Densità
Nessuna deformazione del supporto
Attrezzature per la metallizzazioneForni domestici
Focus sull'industriaDipartimento della Difesa
Dipartimento di Energia
Produzione di prodotti solari
Aerospaziale
Biomedico
Comunicazioni
Informatica ed elettronica
Elettronica sottovuoto
Medico
Militare
Semiconduttore
Ottico
Applicazioni previste per i prodotti di metallizzazioneTubi a onde mobili
Dispositivi elettronici sottovuoto
Dispositivi medici
Macchine fotoniche
Generatori di neutroni
Tubi a raggi X
Klystron
Passaggio ad alto vuoto
Relè Isolatori
Tecnologia E-Beam

 

Metallizzazione disponibile&Specifiche di placcatura:

Composizioni ceramiche disponibiliAl2O3 94%,97%,99.5%
Materiali di metallizzazione disponibiliLu/Mn
Spessore di metallizzazione25±10um
Materiali di placcatura disponibiliNi/Ag/Au
Spessore della placcatura2-10Tubo in ceramica metallizzata_1

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