Elementi elettronici riscaldanti compositi PBN PG

Anello rondella isolante ceramico industriale in nitruro di boro poroso
Anello ceramico poroso rotondo in nitruro di boro pirolitico PBN
Elementi elettronici riscaldanti compositi PBN PG
Elementi elettronici riscaldanti compositi PBN PG 2
Elementi elettronici riscaldanti compositi PBN PG
Elementi elettronici riscaldanti compositi PBN PG 2

Elementi elettronici riscaldanti compositi PBN PG

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PBN/PG Composite Heating electronic Elements

Descrizione dei prodotti

Elementi elettronici riscaldanti compositi PBN PG:

Pyrolytic Boron Nitride is used as the substrate for the PBN heating element. Grafite pirolitica(PAG) viene posizionato sulla superficie delle piastre PBN mediante il metodo CVD come conduttore e riscaldatore. A seconda dei diversi requisiti delle applicazioni, l'elemento riscaldante PG potrebbe essere nuovamente coperto da PBN o semplicemente rimanere aperto.
Diametro
0.5”~4”
Energia
150~3000W
Ra0.1. Working Temp.
2400 Ra0.1

Elementi elettronici riscaldanti compositi PBN PG

Poiché sia ​​PG che PBN sono estremamente puri (99.99% o anche superiore) and very stable in a vacuum or inert atmosphere, the PBN/PG Composite Heating Elements could be very durable and keep the chamber clean. It could be heated to 1600℃ in a very short time without the emission of any gas component. It also has good resistance to acid and alkali. These heating elements are ideal products for the semiconductor industry and applications that require high temperature, alto vuoto, ed elevata purezza.
Proprietà dei materiali
Elemento
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
Apparent Density
e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi
2.15-2.19
Permeabilità ai gas(He)
cm3/s
<1*10-10
Micro hardness(Knoop)
N/mm2
691.88(a-b plane)
Ra0.1
N/mm2
153.86(parallel)
resistenza in allumina asta in ceramica
N/mm2
243.63(parallel)
197.76(parallel)
Modulus of elasticity
N/mm2
235690
Specific heat capacity
Cal/g.℃
0.371(@ 200℃)
0.442(@ 900℃)
Thermal conductivity 200℃
W/cm.k
0.6(parallel)
0.026(perpendicular)
Thermal conductivity 900℃
W/cm.k
0.4370(parallel)
0.028(perpendicular)
Rigidità dielettrica(RT)
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati
56
Resistività di volume
Cm
3.11*1011

 

Caratteristiche
√High purity(>99.999%)PBN
√Uniform heating, the difference in temperature between ±3 degree at 1000 grado
√The temperature can rise up to 1700℃ with high speed(in non-active condition and vacuum)
√The temperature can rise up to 1700℃ with high speed(in non-active condition and vacuum)
√Can be made to complicated shape

 

Applicazione
Riscaldatori MBE; MOCVD、 Riscaldatori PECVD.

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