Substrati ceramici al nitruro di alluminio per pacchetti elettronici

Rotore in ceramica zirconia per mulino a sferette
Substrati ceramici al nitruro di alluminio per pacchetti elettronici
Substrati ceramici al nitruro di alluminio per pacchetti elettronici (2)_1
Substrati ceramici al nitruro di alluminio per pacchetti elettronici (1)_1
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Substrati ceramici al nitruro di alluminio per pacchetti elettronici

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Substrati ceramici al nitruro di alluminio per pacchetti elettronici

Il nitruro di alluminio (Al N) offriamo la personalizzazione di ha un'elevata conducibilità termica(5-10 volte come la ceramica di allumina), Basso

costante dielettrica e fattore di dissipazione, buon isolamento ed eccellenti proprietà meccaniche, non tossico,

elevata resistenza termica, resistenza chimica ,e il coefficiente di dilatazione lineare è simile a Si,che è

ampiamente utilizzato nei componenti di comunicazione, led ad alta potenza, dispositivi elettronici di potenza e altro

campi. I prodotti con specifiche speciali possono essere prodotti su richiesta.

PRESTAZIONI DEL PRODOTTO


– Alta conducibilità termica, elevata resistenza alla flessione, alta temperatura


– Buon isolamento elettrico


– Bassa costante dielettrica e perdita


– In grado di essere perforato al laser, metallizzato, placcato e brasato

Dimensioni regolari del substrato/wafer AlN
Spessore(mm)
Lunghezza larghezza(mm)
0.385
2″* 2″
50.8*50.8 mm
3″* 3″
76.2*76.2mm
4″* 4″
101.6*101.6mm
4.5″* 4,5″
114.3*114.3mm
0.5
0.635
1.0
Diametro(mm)
1.0
F16
F19
Φ20
F26
Φ30
F35
Φ40
F45
Φ50
F52
Φ60
Φ75
Φ80
PS: Altre dimensioni non elencate sono disponibili su vostra richiesta.

caratteristiche del prodotto

1.Microstruttura uniforme


2.Alta conduttività termica* (70-180 Wm-1K-1), personalizzati tramite condizioni di lavorazione e additivi


3.Elevata resistività elettrica


4.Coefficiente di dilatazione termica vicino a quello del silicio


5.Resistenza alla corrosione e all'erosione


6.Eccellente resistenza agli shock termici


7.Chimicamente stabile fino a 980°C in atmosfera di H2 e CO2, e in aria fino a 1380°C (ossidazione superficiale

avviene intorno ai 780°C; lo strato superficiale protegge la massa fino a 1380°C).

Applicazione

– RF / Componenti a microonde

– Modulo di potenza
– Trasformatori di potenza
– Pacchetto LED ad alta potenza
– Sub-montaggi per diodi laser

– Supporto per chip LED
– Pacchetti microelettronici
– Transistor

– Substrati ad alta conduttività termica per LED & Elettronica di potenza

– Substrati per l'elettronica di potenza

– Substrati ad alta conduttività termica per LED & Elettronica di potenza

– Substrati per l'elettronica di potenza

Proprietà del materiale del substrato/wafer di nitruro di alluminio
Contenuto della proprietà
Indice delle proprietà
si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati(g/cm³)
3.335
Resistenza allo Shock Termico
Nessuna crepa
Conduttività termica(30Ra0.1, Con/m.k)
≥170
Coefficiente di dilatazione lineare
(/Ra0.1, 5℃/min, 20-300Ra0.1)
2.805×106
Resistenza alla flessione (e facilita il trasporto del calore del metallo fuso nel tubo del gambo. Ciò può ridurre la temperatura dell'alluminio fuso e risparmiare sui costi energetici complessivi)
382.7
Resistività di volume (oh cm)
1.4×1014
Costante dielettrica(1MHz)
8.56
Durabilità chimica (mg/cm²)
0.97
rigidità dielettrica (si forma un eutettico rame-ossigeno che si lega con successo sia al rame che agli ossidi usati come substrati)
18.45
Rugosità superficiale Ra(micron)
0.3~0,5
Camber (lunghezza‰)
≤2‰
Aspetto/Colore
Denso/grigio scuro
Nota: Le caratteristiche generali dei materiali sopra descritti sono state ricavate da test di laboratorio eseguiti da Innovacera di volta in volta su quantità campione. Le effettive caratteristiche dei lotti di produzione possono variare.

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