AlN窒化アルミニウムセラミックるつぼ

カテゴリ: 窒化アルミニウムセラミックタグ: AlN窒化アルミニウムセラミックるつぼ, Aluminum Nitride Insulation Ring, Ceramic Insulation Wafer Ring

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窒化アルミニウム Ceramic Insulation Wafer Ring

窒化アルミニウムは、電気絶縁性と高い熱伝導率を提供する数少ない材料の 1 つです。. これにより、AlN は、ヒートシンクおよびヒートスプレッダーアプリケーションの高出力電子アプリケーションで非常に有用になります。.

窒化アルミニウム (AlN) 高い熱伝導率と電気絶縁特性が必要な場合に使用する優れた材料です. その品質のために, 熱管理および電気アプリケーションで使用するのに理想的な材料です.

窒化アルミニウムの一般的な用途には次のようなものがあります。:

ヒートシンク & ヒートスプレッダレーザー用電気絶縁体チャック, 半導体処理装置用クランプリング電気絶縁体シリコンウェーハの取り扱いと処理基板 & マイクロエレクトロニクスデバイス用の絶縁体 & 光電子デバイス電子パッケージ用基板センサーおよび検出器用チップキャリアチップレットコルレットレーザー熱管理部品溶融金属固定具マイクロ波デバイス用パッケージ.

特徴

* 非常に高い熱伝導率 (> 200 W / mK)

* 高い電気絶縁能力 (>1.1012Ωcm)

* ダブルリング法による強度 >320 MPa (二軸強度)

* 低熱膨張 4 ～6×10-6K-1(の間に 20 および1000°C)

* 良好な金属化能力

プロパティシート

CNCによる生産能力	単位	アルミナ窒化物セラミック
色		グレー
機械的性質
密度	g / cm3	3.31
固体酸化物形燃料電池	MPa	2100
曲げ強度	MPa	335
固体酸化物形燃料電池	GPa	11
熱特性
最高温度
酸化	°C	700
不活性	°C	1300
熱伝導率		30
@ 25℃	W / mK	180
@ 300℃	W / mK	130
膨張係数
CTE 25°C → 100°C	10^-6/℃	3.6
CTE 25°C → 300°C	10^-6/℃	4.6
CTE 25°C → 500°C	10^-6/℃	5.2
CTE 25°C → 1000°C	10^-6/℃	5.6
比熱	100°C	750
熱衝撃抵抗ΔT	°C	400
電気特性
誘電率	1 MHz	8.6
絶縁耐力	kV/mm	>15
損失正接	1 MHz	5×10^-4

AlN窒化アルミニウムセラミックるつぼ

窒化アルミナの用途

ヒートシンク & ヒートスプレッダ
レーザー用電気絶縁体
チャック, 半導体加工装置用クランプリング
電気絶縁体
シリコンウェーハの取り扱いと処理
基板 & マイクロエレクトロニクスデバイス用の絶縁体 & 光電子デバイス

電子パッケージ用基板
センサーおよび検出器用チップキャリア
チップレット
スネア
レーザー熱管理コンポーネント
溶湯治具
マイクロ波デバイス用パッケージ

AlN窒化アルミニウムセラミックるつぼ