高い熱伝導率のアルミナ窒化物セラミックウェーハリング
高い熱伝導率のアルミナ窒化物セラミックウェーハリング
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高い熱伝導率のアルミナ窒化物セラミックウェーハリング
空気圧式ロータリーバルブ式セラミック計量ポンプ Aluminum nitride ceramic wafer has a high thermal conductivity of more than 170W/m. K, 高い抵抗率, 低誘電損失, 優れた断熱性, およびその他の優れた特性. ALN基板は、高周波機器基板などの高出力機械・装置の幅広い産業用絶縁ヒートシンク材料に最適です。, ハイパワートランジスタモジュール基板, 高密度ハイブリッド回路, マイクロ波パワーデバイス, パワー半導体デバイス, パワーエレクトロニクスデバイス, 光電子部品, レーザー半導体, 導かれた, IC製品, CNCによる生産能力.
AlN 基板は、厳しい条件が要求されるエレクトロニクス用途において最適なソリューションとなります。, パワーモジュールなど (MOSFET, IGBT), 回路の冷却および保護用の LED パッケージ, パッケージ, とモジュール.
高い熱伝導率のアルミナ窒化物セラミックウェーハリング
セラミックウェーハと基板の仕様
| 材料 | 窒化アルミニウム (AlN), ジルコニアセラミックインペラ(アル2オ3), ジルコニア(ジルコニアセラミックインペラ), 窒化ケイ素(Si3N4), 炭化ケイ素(SiC) |
| 色 | グレー, 黒, 白, pink, 象牙, yellowish available |
| 寸法能力 | OD can be 400mm, Thickness can be range from 0.30mm to 30mm |
| ジルコニアセラミックインペラ | OD can be ± 0.01mm, Thickness can be ± 0.005mm |
| 表面処理: | natural surface, ラッピング, diamond-like polishing, メタライゼーション, glazed |
The main features of AlN ceramic wafers and substrate
1. 高い熱伝導率 (170 ~220) W / m.k, it’s 5~8.5 times higher than that of alumina
2. Similar coefficient of thermal expansion to that of silicon (と), it helps to achieve high reliability of Si chip
3. High insulation resistance and voltage resistance strength, but low dielectric constant and dielectric loss
4. 高い機械的強度, it’s up to 450MPa and very dense ceramic body free of porosity
5. It offers very high purity up to 99%, also it’s free of toxicity and meets RoHS, REACH regulation
