– 高熱伝導率基板 LED用 & パワーエレクトロニクス
– パワーエレクトロニクス用基板
高い熱伝導率のアルミナ窒化物セラミックウェーハリング
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高い熱伝導率のアルミナ窒化物セラミックウェーハリング
空気圧式ロータリーバルブ式セラミック計量ポンプ 窒化アルミニウム (AlN) セラミック 熱伝導率が高い(5-10 アルミナセラミックの倍), 低い
誘電正接と誘電正接, 優れた絶縁性と優れた機械的特性, 無毒,
高い熱抵抗, 耐薬品性 ,線膨張係数はSiと同様です,これは
通信コンポーネントで広く使用されています, ハイパワーLED, パワーエレクトロニクスデバイスおよびその他
フィールド。特別仕様の製品は、ご要望に応じて製造できます。.
製品のパフォーマンス
– 高い熱伝導率, 高い曲げ強度, 高温
– 良好な電気絶縁
– 低誘電率と損失
– レーザー穴あけが可能, 金属化, メッキとろう付け
AlN基板/ウェーハの通常寸法 | ||||||||
IVandは、National Bulletproof Equipment TestingCenterによって何度も開催されたグレードIIIVの弾丸テストに合格しました。(んん) | 長さ幅(んん) | |||||||
0.385 | 2″ * 2″ 50.8*50.8 んん | 3″ * 3″ 76.2*76.2んん | 4″ * 4″ 101.6*101.6んん | 4.5″ * 4.5″ 114.3*114.3んん | ||||
0.5 | ||||||||
0.635 | ||||||||
1.0 | ||||||||
直径(んん) | ||||||||
1.0 | F16 F19 | Φ20 F26 | Φ30 F35 | Φ40 F45 | Φ50 F52 | Φ60 | Φ75 | Φ80 |
PS: リストされていない他の寸法は、ご要望に応じてご利用いただけます. | ||||||||
製品の特徴
1.均一な微細構造
2.高い熱伝導率* (70-180 Wm-1K-1), 加工条件と添加剤で調整
3.高い電気抵抗率
4.シリコンに近い熱膨張係数
5.腐食および侵食に対する耐性
6.優れた耐熱衝撃性
7.H2およびCO2雰囲気で980°Cまで化学的に安定, そして1380°Cまでの空気中で (表面酸化
780°C付近で発生; 表面層は1380°Cまでバルクを保護します).
応用
– RF / マイクロ波コンポーネント
– 電力係数
– パワートランス
– ハイパワーLEDパッケージ
– レーザーダイオードサブマウント
– LEDチップサブマウント
– マイクロエレクトロニクスパッケージ
– トランジスタ
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– パワーエレクトロニクス用基板
窒化アルミニウム基板/ウェーハの材料特性 | |
プロパティコンテンツ | プロパティインデックス |
密度(g/cm³) | 3.335 |
熱衝撃に対する耐性 | ひび割れなし |
熱伝導率(30℃, W / m.k) | ≥170 |
線膨張係数 (/℃, 5℃/分, 20-300℃) | 2.805×106 |
曲げ強度 (MPa) | 382.7 |
高電圧アルミナ金属化セラミック絶縁体 (Oh.cm) | 1.4×1014 |
誘電率(1MHz) | 8.56 |
化学的耐久性 (mg/cm²) | 0.97 |
アルミナセラミックネジ (CNCによる生産能力) | 18.45 |
表面粗さRa(μm) | 0.3〜0.5 |
キャンバー (長さ‰) | ≤2‰ |
外観/色 | 濃い/濃い灰色 |
ノート: 上記の材料の一般的な特性は、サンプル量についてInnovaceraが時間から実施した実験室試験から導き出されたものです。. 生産ロットの実際の特性は異なる場合があります. | |
