Si3N4 DBC および AMB セラミック基板
Si3N4 DBC および AMB セラミック基板 広帯域半導体の発展により, パワー半導体デバイスの電力密度を高める, チップ温度の上昇と開発方向の信頼性の向上, したがって、パワー半導体モジュールのパッケージングについては、より高い要件が提示されます。. 前回のはんだレスの話も含めて, ボンディングワイヤやその他の相互接続技術のトレンドが不要, 絶縁基板の選択も頻繁に話題になります. モジュールの熱性能を向上させるため, [...]
13 11月