Substrato cerâmico de nitreto de alumina

Bucha de tubo cerâmico de nitreto de alumínio AlN
Aquecedor cerâmico de nitreto de alumínio
alumina nitride ceramic substrate
alumina nitride ceramic substrate 3
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Substrato cerâmico de nitreto de alumina

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Substrato cerâmico de nitreto de alumina

Nitreto de Alumínio (AlN) é um excelente material para usar se for necessária alta condutividade térmica e propriedades de isolamento elétrico; tornando-o um material ideal para uso em gerenciamento térmico e aplicações elétricas. Adicionalmente, AlN é uma alternativa comum ao óxido de berílio (Leopardo) na indústria de semicondutores, pois não representa um perigo para a saúde quando usinado. O nitreto de alumínio tem um coeficiente de expansão térmica e propriedades de isolamento elétrico que se aproximam do material do wafer de silício, tornando-o um material útil para aplicações eletrônicas onde altas temperaturas e dissipação de calor são frequentemente um problema.
O nitreto de alumínio é um dos poucos materiais que oferece isolamento elétrico e alta condutividade térmica. Isso torna o AlN extremamente útil em aplicações eletrônicas de alta potência em aplicações de dissipador de calor e dissipador de calor.
Propriedade
Unidade
Cerâmica de nitreto de alumina
color
grey
Propriedades mecânicas
Densidade
g / cm3
3.31
Força compressiva
MPa
2100
Resistência à Flexão
MPa
335
Dureza Vickers
GPa
11
Propriedades térmicas
Temperatura máxima
Oxidante
° C
700
Inerte
° C
1300
Condutividade térmica
30
@ 25°C
W/mK
180
@ 300°C
W/mK
130
Coeficiente de Expansão
CTE 25°C – 100° C
10^-6/°C
3.6
CTE 25°C – 300° C
10^-6/°C
4.6
CTE 25°C – 500° C
10^-6/°C
5.2
CTE 25°C – 1000° C
10^-6/°C
5.6
Calor específico
100° C
750
Resistência ao Choque Térmico ΔT
° C
400
Propriedades elétricas
Constante dielétrica
1 MHz
8.6
Rigidez dielétrica
kV/mm
>15
Tangente de Perda
1 MHz
5×10^-4

Aplicativo

– RF / ″* 4″

– Power Modulus
– Power Transformers
– High Power LED Package

– Laser Diode Sub-mounts

– LED Chip Sub-mount
– Microelectronic Packages
– Transistors

– High Thermal Conductivity Substrates ″* 4″ & Eletrônica de Potência

– Substrates for Power Electronics

– High Thermal Conductivity Substrates ″* 4″ & Eletrônica de Potência

– Substrates for Power Electronics

″* 4″

1.″* 4″


2.″* 4″ (70-180 Wm-1K-1), ″* 4″


3.″* 4″


4.″* 4″


5.″* 4″


6.″* 4″


7.″* 4″, ″* 4″ (″* 4″

″* 4″; ″* 4″).

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