Braço carregador de wafer de cerâmica semicondutor de alumina

8-Anel de borda cerâmica de alumínio aquecedor RF em polegadas
Cerâmica Metalizada de Alumina para Aplicações Eletrônicas
Braço carregador de wafer de cerâmica semicondutor de alumina (4)_1
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Braço carregador de wafer de cerâmica semicondutor de alumina

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99.8% Braço carregador de wafer de cerâmica semicondutor de alumina

As principais características do semicondutor braço de carregador de bolacha de cerâmica
1. Dimensões de alta precisão com tolerância de aperto, é mais fácil obter uma relação de ajuste perfeito
2. Capacidade de alta temperatura: resistir a até 1650 ° C em atmosferas oxidantes e redutoras
3. Desgaste & resistência à abrasão: Alumina é uma cerâmica técnica extremamente dura com excelente resistência ao desgaste
4. Inércia química, resistente a maior parte do ácido e álcali fortes, e não enferruja para sempre
5. Isolamento elétrico: A quebra de isolamento é de pelo menos 18KV
6. Ótimas propriedades mecânicas, dureza, as resistências à compressão e flexão são muito maiores em aço inoxidável
7. Resistência à corrosão química sob alta temperatura, mesmo se com ácido ou álcali forte
8. Atmosferas protetoras ou alto vácuo em alta temperatura para eliminar contaminação ou impureza.
9. Baixo custo de material em aplicações de alto nível do que outras cerâmicas técnicas

A especificação das peças cerâmicas

Opção de materialAlumina(Al2O3), Zircônia (ZrO2), Carboneto de silício(SiO2), Nitreto de silício(Si3N4)
Métodos de formaçãoISO pressionado, Prensado a seco, Moldagem por injeção de cerâmica, Prensado a quente
EspecificaçãoOD pode ser de 1 a 50mm, comprimento pode ser de 10 mm a 800 mm
Processamento de precisãoUsinagem CNC, Moagem de precisão, Polimento, Lapidação,
TolerânciaA tolerância de OD e ID pode ser 0,001 mm, a tolerância de comprimento pode ser 0,001 mm
Parâmetros chaveRugosidade de 0,02 mm, Nivelamento de 0,001 mm, O paralelismo deve ser 0,001 mm
Qualidade da superfícieLivre de fissuras, contaminação estrangeira, superfície do espelho melhor do que Ra0.1

Braço carregador de wafer de cerâmica semicondutor de alumina
A descrição de braço carregador de wafer de cerâmica de alumina de alta precisão
Para dispositivos semicondutores, o processo crítico, bem como as peças que precisam ser usadas no vácuo, Disco de nitreto de alumínio cerâmico AlN condutor térmico, e ambiente de gás corrosivo, também exigem um ambiente limpo e sem poeira. No entanto, material cerâmico de precisão pode manter alta estabilidade em um ambiente físico e químico complicado. Peça cerâmica semicondutora que produzimos com resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica, isolamento é feito de 99.8% cerâmica de alumina e formada por prensagem isostática a frio, sinterização de alta temperatura, e usinagem de precisão, é por isso que pode atender aos requisitos rigorosos de peças para equipamentos semicondutores.

Braço carregador de wafer de cerâmica semicondutor de alumina

Observação:

Temos a capacidade com uma variedade de geometria complicada de peças de cerâmica de alta precisão por meio de usinagem CNC, moagem de precisão, perfuração de precisão, e assim por diante.

Folha de dados de cerâmicas técnicas

PropriedadeUnidades Material
99.5%
alumina		99%
alumina		95%
alumina		ZrO2
(Y-TZP)		ZrO2
(TTZ)
Densidadeg / cm3≥3,85≥3,80≥3,60≥5,95≥5,72
Absorção de água%00000
DurezaHV1700170015001300900
Resistência à flexãoMpa≥379≥338≥320≥1200≥1200
Força compressivaMpa≥2240≥2240≥2000≥19901750
Resistência à fraturaMpa m1/24-54-53-46.5-811
Máx.. serviço
temperatura		ºC1675160014501000
Côte1× 10 -6 /ºC6.5~ 8.06.2~ 8.05.0~ 8.08.0~ 9,510.2
Choque térmicoT(ºC)≥250≥200≥220≥300350
Condutividade térmica(25ºC)W / m.k30292433
Resistividade volumétricaohm.cm
25ºC>1 x 10 14>1 x 10 14>1 x 10 14>1 x 10 11>1 x 10 11
300ºC1 x 10 128 x 10 1110 12 -10 131 x 10 101 x 10 10
500ºC5 x 10 102 x 10 91 x 10 91 x 10 61 x 10 6
Força de isolamentoKV / mm1918181720
Constante dielétrica(1Mhz)(E)9.79.59.52928

 

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