Placa de resistência de energia de wafer de nitreto de alumínio de alta condutividade térmica
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Placa de resistência de energia de wafer de nitreto de alumínio de alta condutividade térmica
O nitreto de alumínio é um dos poucos materiais que oferece isolamento elétrico e alta condutividade térmica. Isso torna o AlN extremamente útil em aplicações eletrônicas de alta potência em aplicações de dissipador de calor e dissipador de calor.
Nitreto de Alumínio (AlN) é um excelente material para usar se for necessária alta condutividade térmica e propriedades de isolamento elétrico. Por suas qualidades, é um material ideal para uso em gerenciamento térmico e aplicações elétricas.
Algumas aplicações comuns de nitreto de alumínio incluem o seguinte:
Dissipadores de calor & dissipadores de calor Isoladores elétricos para lasers Mandris, anéis de fixação para equipamentos de processamento de semicondutores Isoladores elétricos Manuseio e processamento de pastilhas de silício Substratos & isoladores para dispositivos microeletrônicos & dispositivos optoeletrônicos Substratos para pacotes eletrônicos Porta-chips para sensores e detectores Chip permite Pinças Componentes de gerenciamento de calor a laser Dispositivos de metal fundido Pacotes para dispositivos de micro-ondas.
Recursos
* Condutividade térmica muito alta (> 200 W/mK)
* Alta capacidade de isolamento elétrico (>1.1012Ωcm)
* Força de acordo com o método de anel duplo >320 MPa (força biaxial)
* Baixa expansão térmica 4 para 6×10-6K-1(entre 20 e 1000°C)
* Boa capacidade de metalização
Folha de Propriedades
Propriedade | Unidade | Cerâmica de nitreto de alumina |
dissipadores de calor para sistemas de iluminação | Cinza | |
Propriedades mecânicas | ||
Densidade | g / cm3 | 3.31 |
Força compressiva | MPa | 2100 |
Resistência à Flexão | MPa | 335 |
Dureza Vickers | GPa | 11 |
Propriedades térmicas | ||
Temperatura máxima | ||
Oxidante | ° C | 700 |
Inerte | ° C | 1300 |
Condutividade térmica | 30 | |
@ 25°C | W/mK | 180 |
@ 300°C | W/mK | 130 |
Coeficiente de Expansão | ||
CTE 25°C ➞ 100°C | 10^-6/°C | 3.6 |
CTE 25°C ➞ 300°C | 10^-6/°C | 4.6 |
CTE 25°C ➞ 500°C | 10^-6/°C | 5.2 |
CTE 25°C ➞ 1000°C | 10^-6/°C | 5.6 |
Calor específico | 100° C | 750 |
Resistência ao Choque Térmico ΔT | ° C | 400 |
Propriedades elétricas | ||
Constante dielétrica | 1 MHz | 8.6 |
Rigidez dielétrica | kV/mm | >15 |
Tangente de Perda | 1 MHz | 5×10^-4 |
Alta condutividade térmica Placa de resistência de energia de wafer de nitreto de alumínio
Aplicações de nitreto de alumina
- Dissipadores de calor & dissipadores de calor
- Isoladores elétricos para lasers
- Mandris, anéis de fixação para equipamentos de processamento de semicondutores
- Isoladores elétricos
- Manuseio e processamento de wafer de silício
- Substratos & isoladores para dispositivos microeletrônicos & dispositivos optoeletrônicos
- Substratos para pacotes eletrônicos
- Porta-chips para sensores e detectores
- Chiplets
- Armadilhas
- Componentes de gerenciamento de calor a laser
- Luminárias de metal fundido
- Pacotes para aparelhos de micro-ondas