氮化铝陶瓷基板

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氮化铝陶瓷基板

氮化铝 (氮化铝) 如果需要高导热性和电绝缘性能,是一种极好的材料; 使其成为热管理和电气应用的理想材料. 此外, AlN 是氧化铍的常见替代品 (铍) 在半导体行业中,因为加工时不会对健康造成危害. 氮化铝的热膨胀系数和电绝缘性能与硅片材料非常匹配, 使其成为高温和散热经常成为问题的电子应用的有用材料.
氮化铝是少数提供电绝缘和高导热性的材料之一. 这使得 AlN 在散热器和散热器应用中的高功率电子应用中非常有用.
财产
Si3N4陶瓷的典型应用
氮化氧化铝陶瓷
颜色
灰色的
机械性能
密度
克/立方厘米
3.31
抗压强度
兆帕
2100
抗弯强度
兆帕
335
灰色和灰黑色
11
热性能
最高温度
氧化
°C
700
惰性
°C
1300
灰色和灰黑色
30
@ 25°C
W / mK
180
@ 300°C
W / mK
130
膨胀系数
热膨胀系数25℃ – 100°C
10^-6/°C
3.6
热膨胀系数25℃ – 300°C
10^-6/°C
4.6
热膨胀系数25℃ – 500°C
10^-6/°C
5.2
热膨胀系数25℃ – 1000°C
10^-6/°C
5.6
比热
100°C
750
抗热震性ΔT
°C
400
电气性能
介电常数
1 兆赫
8.6
介电强度
千伏/毫米
>15
损耗角正切
1 兆赫
5×10^-4

应用

– 射频 / 微波元件

– 功率模数
– 电力变压器
– 高功率 LED 封装

– 激光二极管底座

– LED 芯片底座
– 微电子封装
– 晶体管

– 高导热基板 LED用 & 电力电子

– 电力电子基板

– 高导热基板 LED用 & 电力电子

– 电力电子基板

产品特点

1.均匀的微观结构


2.高导热性* (70-180 Wm-1K-1), 通过加工条件和添加剂定制


3.高电阻率


4.热膨胀系数接近硅


5.耐腐蚀和侵蚀


6.优异的抗热震性


7.在 H2 和 CO2 气氛中化学稳定性高达 980°C, 在高达 1380°C 的空气中 (表面氧化

发生在 780°C 左右; 表层保护块体高达 1380°C).

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