电子封装用氮化铝陶瓷基板

电子封装用氮化铝陶瓷基板

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电子封装用氮化铝陶瓷基板

氮化铝 (氮化铝) 陶瓷制品 具有高导热性(5-10 是氧化铝陶瓷的几倍), 低的

介电常数和损耗因数, 良好的绝缘性和优异的机械性能, 无毒,

高耐热性, 耐化学性 ,且线膨胀系数与Si相近,这是

广泛应用于通讯组件, 大功率led, 电力电子设备及其他

领域。可根据要求生产特殊规格产品.

产品性能


– 高导热性, 高抗弯强度, 高温


– 良好的电绝缘性


– 低介电常数和损耗


– 能够进行激光钻孔, 金属化, 电镀和钎焊

电子封装用氮化铝陶瓷基板

AlN基板/晶圆的常规尺寸
厚度(毫米)
长度宽度(毫米)
0.385
2“* 2”
50.8*50.8 毫米
3“* 3”
76.2*76.2毫米
4“* 4”
101.6*101.6毫米
4.5“* 4.5”
114.3*114.3毫米
0.5
0.635
1.0
直径(毫米)
1.0
Φ16
Φ19
Φ20
Φ26
Φ30
Φ35
Φ40
Φ45
Φ50
Φ52
Φ60
Φ75
Φ80
附言: 未列出的其他尺寸可根据您的要求提供.

产品特点

1.均匀的微观结构


2.高导热性* (70-180 Wm-1K-1), 通过加工条件和添加剂定制


3.高电阻率


4.热膨胀系数接近硅


5.耐腐蚀和侵蚀


6.优异的抗热震性


7.在 H2 和 CO2 气氛中化学稳定性高达 980°C, 在高达 1380°C 的空气中 (表面氧化

发生在 780°C 左右; 表层保护块体高达 1380°C).

应用

– 射频 / 微波元件

– 功率模数
– 电力变压器
– 大功率LED封装

– 激光二极管底座

– LED 芯片底座
– 微电子封装
– 晶体管

– 高导热基板 LED用 & 电力电子

– 电力电子基板

氮化铝基板/晶圆的材料特性
物业内容
物业指数
密度(克/立方厘米)
3.335
抗热冲击
无裂缝
导热系数(30℃, W/m.k)
≥170
线膨胀系数
(/℃, 5℃/分钟, 20-300℃)
2.805×106
抗弯强度 (兆帕)
382.7
体积电阻率 (Ω.cm)
1.4×1014
介电常数(1兆赫)
8.56
化学耐久性 (毫克/平方厘米)
0.97
介电强度 (千伏/毫米)
18.45
表面粗糙度Ra(微米)
0.3~0.5
外倾角 (长度‰)
≤2‰
外观/颜色
浓密/深灰色
笔记: 上述材料的一般特性来自 Innovacera 对样品数量进行的实验室测试. 生产批次的实际特征可能会有所不同.

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