高导热氮化铝AlN陶瓷基板
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高导热氮化铝AlN陶瓷基板
氮化铝是少数提供电绝缘和高导热性的材料之一. 这使得 AlN 在散热器和散热器应用中的高功率电子应用中非常有用.
氮化铝 (氮化铝) 如果需要高导热性和电绝缘性能，是一种极好的材料. 因为它的素质, 它是用于热管理和电气应用的理想材料.
的一些常见应用 氮化铝 包括以下这些:
散热片 & 散热器 激光用电绝缘体 卡盘, 用于半导体加工设备的夹环 电绝缘体 硅晶片处理和加工 基板 & 微电子器件绝缘体 & 光电器件 电子封装基板 传感器和探测器的芯片载体 芯片让 Col let 激光热管理组件 熔融金属夹具 微波设备封装.
特征
* 非常高的导热性 (> 200 W / mK)
* 高电绝缘能力 (>1.1012Ωcm)
* 双环法强度 >320 兆帕 (双轴强度)
* 低热膨胀 4 至 6×10-6K-1(之间 20 和 1000°C)
* 良好的金属化能力
属性表
财产 | Si3N4陶瓷的典型应用 | 氮化氧化铝陶瓷 |
铝液氮化硅陶瓷保护管 | 灰色的 | |
机械性能 | ||
密度 | 克/立方厘米 | 3.31 |
抗压强度 | 兆帕 | 2100 |
抗弯强度 | 兆帕 | 335 |
灰色和灰黑色 | 帕 | 11 |
热性能 | ||
最高温度 | ||
氧化 | °C | 700 |
惰性 | °C | 1300 |
灰色和灰黑色 | 30 | |
@ 25°C | W / mK | 180 |
@ 300°C | W / mK | 130 |
膨胀系数 | ||
热膨胀系数 25°C 100°C | 10^-6/°C | 3.6 |
热膨胀系数 25°C 300°C | 10^-6/°C | 4.6 |
热膨胀系数 25°C 500°C | 10^-6/°C | 5.2 |
热膨胀系数 25°C 1000°C | 10^-6/°C | 5.6 |
比热 | 100°C | 750 |
抗热震性ΔT | °C | 400 |
电气性能 | ||
介电常数 | 1 兆赫 | 8.6 |
介电强度 | 千伏/毫米 | >15 |
损耗角正切 | 1 兆赫 | 5×10^-4 |
高导热氮化铝AlN陶瓷基板
氮化铝应用
- 散热片 & 散热器
- 激光用电绝缘体
- 夹头, 半导体加工设备用夹环
- 电绝缘体
- 硅晶片处理和加工
- 基材 & 微电子器件绝缘体 & 光电器件
- 电子封装基板
- 传感器和探测器的芯片载体
- 小芯片
- 圈套
- 激光热管理组件
- 熔融金属夹具
- 微波器件封装
