金属化 AIN 氮化铝陶瓷基板 镀镍/金

氮化铝 AlN 金属化 DBC 基板/板/盘，含 Au
金属化Al2O3陶瓷基片镀镍/金
金属化氮化铝AlN陶瓷基板
金属化氧化铝 AlN Al2O3 陶瓷基板 镀镍金
金属化氮化铝AlN陶瓷基板
金属化氧化铝 AlN Al2O3 陶瓷基板 镀镍金

金属化 AIN 氮化铝陶瓷基板 镀镍/金

类别: , 标签: ,
  • 描述
  • 询问

金属化 AIN 氮化铝陶瓷基板 镀镍/金

氮化铝陶瓷具有优异的电性能和热性能, 被认为是最有前途的高导热陶瓷基板材料. 为了密封封装结构, 安装元件并连接输入和输出端子, 氮化铝陶瓷基板的表面和内部都需要进行金属化处理. 陶瓷表面金属化的可靠性和性能对陶瓷基板的应用具有重要影响, 牢固的粘接强度和优良的气密性是最基本的要求. 考虑基板的散热, 还要求金属与陶瓷的界面具有高的导热率. 表面金属化方法 氮化铝 陶瓷包括: 薄膜法, 厚膜法, 高熔点金属化法, 化学镀法, 直接覆铜法 (lumina 陶瓷金属化 DBC 基板), 等等.

lumina 陶瓷金属化 DBC 基板 (直接敷铜) tenique表示一种特殊工艺，其中铜箔和Al2O3或AlN (一侧或两侧) 在适当的高温下直接粘合. 成品超薄DBC基板具有优异的电气隔离性,高导热性, 良好的可焊性和高结合强度。它可以被构造成只需舔PCB即可蚀刻布线并具有高电流负载能力。因此DBC陶瓷基板已成为大功率半导体电子电路的构造和互连技术的基础材料并且也成为了基础 “板上芯片” 代表世纪包装潮流的技术.

金属化 AIN 氮化铝陶瓷基板 镀镍/金

DBC 基板特性:

1.机械强度高,机械稳定的形状;高强度,良好的导热性,优秀的电气
隔离;一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合,一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合;
2.更好的热循环能力 (取决于 50000 用于颗粒炉的陶瓷加热器元件),一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合;
3.结构可以像 PCB 板或 IMS 基板一样进行蚀刻布线;
4.无污染,一种铜-氧共晶形式，可成功地与铜和用作基材的氧化物结合;
5.适用温度范围广:-55℃～850℃; 热膨胀系数接近硅, 功率模块的生产工艺大大简化.

金属化 AIN 氮化铝陶瓷基板 镀镍/金

规格

>金属化 厚度: 25 ±10um
>镍厚:2～10微米;
>针足强度: 4200公斤力/厘米2 平均值. (Φ3.0mm引脚处)
特征:
高绝缘电阻专用氧化铝材料 高可靠性陶瓷管. 钼锰金属化和镀镍使客户能够组装密封产品.
连接类型:
陶瓷制品 + 钼/锰金属化 + 镀镍
陶瓷制品 + 钼/锰金属化 + 镀银
陶瓷制品 + 钼/锰金属化 + 镀金
陶瓷制品 + 印刷银
特殊型号可根据客户图纸或样品生产

联系我们






相关产品